电子发烧友原创 章鹰
4月15日，慕尼黑上海电子展盛大开场。海内外的工程师、采购商和观众纷纷入馆，人潮涌动。在N4和N5馆内，近40家企业分别展示了汽车MCU芯片、车规SiC芯片、氮化镓芯片、车载BMS芯片、电源芯片等。
车规级SiC为何如此火爆？业内人士对电子发烧友记者表示，在比亚迪、长安汽车、吉利、上汽、问界等多家车企引领下，SiC上车速度加快。未来5年SiC行业渗透率可能从目前的10%至20%提升到50%以上。
今年以来，除了标配SiC主驱逆变器的纯电动汽车800V车型增多外，混动车型引入碳化硅的趋势初显，上汽五菱发布的灵犀动力3.0碳化硅电驱，进一步推动了SiC技术在15万以下车型的普及应用。Techinsights最新报告显示，SiC正以其高效率、紧凑的设计和更低的成本改变功率半导体行业，汽车碳化硅预计2025年市场规模将达到20亿美元以上。
本文将集结慕尼黑上海电子展上英飞凌、华润微电子、三安半导体、扬杰科技、方正微电子、深圳爱仕特新品展示，为大家分析最新产品走势和汽车应用热点。
英飞凌展出8英寸碳化硅晶圆和先进器件
图：英飞凌12吋超薄硅晶圆 电子发烧友拍摄
在N5馆入口处，记者入馆看到了英飞凌的展台。英飞凌展出了全球最先进的12吋超薄硅晶圆，8英寸碳化硅晶圆和12英寸氮化镓晶圆，这是首次三大晶圆在中国市场亮相。现场工作人员表示，这颗业界第一颗20微米的超薄硅晶圆，晶圆越薄，损耗越低，通过超薄的晶圆，将器件损耗降低。
图：英飞凌两款碳化硅功率模块 电子发烧友拍摄
现场，英飞凌展示了CoolSiC MOSFET 2000V 60A Boost模块和光伏用的1200V CoolSiC EasyPACK 1B Boost功率模块。前者采用2000V SiC MOSFET的4路1500V光伏系统升压电路，DF-4-19MR20W3M1HF_B11是第一个采用EasyPack 3B封装的2000V功率模块，实现更简单的解决方案，减少了器件数量，提高了功率密度，降低了1500V VDC应用的总系统成本。后者则是采用M1H芯片，导通电子8-17毫欧五个规格。工作人员表示，随着SiC器件的大规模应用，SiC模块在汽车主驱逆变器的系统成本整体趋势在下降。
华润微电子：高压和中低压SiC MOS产品丰富，车规级SiC模块批量供货
在慕展N4馆，华润微电子带来用于汽车主驱的1200V 450A/600A的半桥DCM、全桥HPD共四款主驱模块等最新产品，充分凸显其技术优势。
图：华润微电子1200V SiC MOSFET 电子发烧友拍摄
以1200V/66A SiC MOSFET为例，这款产品基于成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，具备SiC器件的低导通损耗、耐高温特性以及DCM、HPD模块的高功率密度、高系统效率等优异性能。
据悉，华润微电子 SiC MOS G2 比导通电阻（Ronsp）水平达到国际领先品牌主流产品水平，SiC JBS G3 功率密度水平达到国际领先，得到客户的高度认可。车规级 SiC MOS 和 SiC 模块研发工作进展顺利，多款单管、半桥、全桥车规模块产品出样，并配合主流车厂进行测试认证，实现批量供货。
三安半导体：8英寸SiC衬底量产，车规级SiC MOSFET批量出货
在慕尼黑上海电子展上，三安半导体展出650V-2000V SiC MOSFET产品序列，主要应用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器和UPS等领域。三安产品的优势主要体现在第二代SiC MOSFET产品具有高抗干扰性、高可靠性、低反向漏电流、低弥勒电容以及高温下更低导通电阻等优势，部分型号已经通过AEC-Q101车规级认证。
现场工作人员介绍，2024年三安半导体8英寸SiC衬底已经小批量出货，公司推出的第二代SiC MOSFET产品，驱动电压兼容15V/18V，Ronsp更低，效率更高。针对车规级市场，三安车载充电机、空调压缩机用SiC MOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器SiC MOSFET已在重点新能源汽车客户进入导入可靠性验证。
方正微电子：比肩国际产品性能，车规级SiC MOS产品加速上车
4月15日，方正微电子携G1/G2/G3三代车规碳化硅晶圆、衬底、裸die、器件和模组参展。现场展台上，G1 SiC MOS 1200V系列、G2 SiC MOS 1200V系列、G2 750VSiC MOS系列，G3 SiC MOS产品都有展示。
方正微正式发布了第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品，性能达到国际头部领先水平。方正微电子第二代车规主驱SiC MOS在第一代的高可靠基础上，进一步提升性能，缩小Die size，提升FOM值，实现了在行业主流芯片面积需求条件下性能提升。在光储充领域，方正微展示了SiC MOS单管及模组，与SiC SBD解决方案。具体涵盖了SiC MOS 1200V EASY2B功率模组，SiC MOS 1200V 系列单管器件、SiC MOS 750V/650V系列单管器件等。
方正微电子表示，2025年，公司将实现车规SiC MOS大规模上乘用车主驱，从几万辆向几十万辆迈进。
爱仕特科技：发布SiC4.0技术平台，1700V车规级SiC MOS支持1000V平台
在N4馆，记者走访了爱仕特展台，这家深圳公司以“碳化硅4.0技术平台”为核心，携1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模块三大“战略新品”亮相展会。
图：爱仕特1200V到1700V SiC MOS展示 电子发烧友拍摄
爱仕特科技品牌总监姚培俊对电子发烧友记者表示，公司重磅推出的第四代碳化硅技术平台，以超高耐压、极低损耗、高效驱动兼容性为核心突破，1700V/16mΩ SiC MOSFET是第四代SiC MOS平台技术，兼容15V和18V驱动电压，同样的电压等级导通电阻变低，兼顾高耐压和低损耗，成为1000V平台、充电桩应用领域的优选。1200V SiC MOSFET则用单颗芯片导通电阻低至10 mΩ，适用于800V新能源平台，1200V/1000A SiC功率模块采用高电流密度设计，支持-40℃至175℃的宽温域运行，可助力大功率系统实现轻量化与高效化。
目前爱仕特已经和国内新能源汽车头部企业合作，对车规级SiC产品进行导入可靠性验证。
扬杰科技：SiC MOSFET应用于车载和光伏逆变器
在N4馆，扬杰科技以实体新能源汽车为载体，集中呈现了IGBT模块、SiC MOSFET在OBC、DC/DC、BMS、EPS、电机驱动等场景的应用。
图：扬杰科技IGBT和SiC产品展示 电子发烧友拍摄
现场工作人员，目前国产400V新能源汽车主要采用IGBT模块做主驱逆变器，扬杰科技展示的A4P IGBT模块，800A-950A/750V，产品具备低开关损耗、低电感设计，最大工作结温175度，高功率密度。
在光伏与储能领域，扬杰科技展示了1200V/160A三电平IGBT模块和950V/600A下一代三电平模块，适用于大型光伏逆变器与储能变流器。其SiC MOSFET采用低Ronsp设计，可显著降低开关损耗，助力光储系统效率提升至98%以上。
扬杰科技IGBT，MOSFET、ESD、TVS等产品可用于小型关节电机、步进电机等电机驱动及感知系统中，以支持更高的控制精度和更快的响应速度，并能在DC/DC转换、USB接口防护、电源防护等电路中发挥关键作用。
写在最后
车载SiC的全球阵营中，英飞凌、ST、TI等处于第一梯队，随着中国功率半导体厂商的涌入，SiC MOSFET的价格出现下滑，国产7家企业先后宣布SiC主驱突破，清纯半导体、士兰微、芯联集成、斯达半导体、芯聚能、方正微电子、比亚迪半导体，相信未来会有更多国产功率半导体厂商进入车规SiC供应商行列。
